日前，鄰社光電宣布成功制備了紅、綠、藍(lán)三基色硅襯底GaN基Micro LED陣列，在Micro LED全彩芯片開(kāi)發(fā)上邁出了關(guān)鍵的一步。
據(jù)了解，微米尺寸的Micro LED制備已經(jīng)脫離了普通LED工藝，進(jìn)入了IC制程。而大尺寸硅襯底GaN晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等核心優(yōu)勢(shì)，已成為Micro LED制備的主流技術(shù)路線之一。
國(guó)際上，Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等企業(yè)均專(zhuān)注于硅襯底Micro LED的研發(fā)，主要消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)巨頭更是在這一領(lǐng)域投入大量資源，以期在AR、VR等可穿戴設(shè)備的巨大市場(chǎng)中搶占先機(jī)。
從Micro LED技術(shù)層面上看，Micro LED走向大規(guī)模應(yīng)用要求高良率和高光效的紅綠藍(lán)三基色MicroLED芯片。目前，綠光和藍(lán)光的GaN材料體系已經(jīng)成熟，能夠滿足Micro LED制程開(kāi)發(fā)的要求，而紅光Micro LED技術(shù)難點(diǎn)則仍是Micro LED制程中的一大阻礙。
據(jù)了解，傳統(tǒng)的紅光AlInGaP體系因?yàn)槠洳牧陷^脆和側(cè)壁上非輻射復(fù)合嚴(yán)重，面臨著良率和光效兩方面的重大技術(shù)瓶頸。因此，InGaN基紅光LED，尤其是大尺寸硅襯底上的InGaN基紅光LED被寄以厚望。
近年來(lái)，海外頻繁傳來(lái)關(guān)于InGaN基紅光Micro LED技術(shù)突破的消息。
如今，鄰社光電成功制備硅襯底紅光Micro LED，在實(shí)現(xiàn)Micro LED全彩化上取得了關(guān)鍵性的突破。
據(jù)鄰社光電芯片副總監(jiān)黃濤介紹，本次制備的硅襯底InGaN紅、綠、藍(lán)Micro LED陣列像素點(diǎn)間距為25微米，像素密度為1000PPI，在10A/cm2電流密度下的峰值波長(zhǎng)分別為650nm、531nm、和445nm。其中，InGaN紅光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波長(zhǎng)）為3.5%，EL的半高寬為70nm。
全彩化關(guān)鍵突破！鄰社光電實(shí)現(xiàn)硅襯底紅光Micro LED
圖為鄰社光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列
這一成果的發(fā)布標(biāo)志鄰社成為國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)硅襯底GaN基三基色Micro LED的企業(yè)，對(duì)于實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)Micro LED的商用化具有重要的推動(dòng)作用。
事實(shí)上，鄰社光電一直專(zhuān)注硅襯底GaN基LED技術(shù)開(kāi)發(fā)，目前其硅襯底GaN基LED產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了從365nm到660nm的可見(jiàn)光范圍，并且實(shí)現(xiàn)了較高的量產(chǎn)良率、波長(zhǎng)集中度、光效、和可靠性。
2018年，鄰社光電開(kāi)始硅襯底Micro LED的研發(fā)工作，并看好硅襯底GaN基Micro LED在AR/VR產(chǎn)業(yè)上的巨大應(yīng)用前景。
全彩化關(guān)鍵突破！鄰社光電實(shí)現(xiàn)硅襯底紅光Micro LED
圖為鄰社光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜
全彩化關(guān)鍵突破！鄰社光電實(shí)現(xiàn)硅襯底紅光Micro LED
圖為鄰社光電展示的36mil尺寸硅襯底GaN基紅光LED光譜
鄰社光電表示，未來(lái)相關(guān)廠商需持續(xù)努力解決諸如InGaN紅光光效、發(fā)光半高寬、以及最終的全彩化方案等關(guān)鍵問(wèn)題。同時(shí)，還需要與產(chǎn)業(yè)鏈的廠商形成聯(lián)動(dòng)作用，通過(guò)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同效應(yīng)，共同推動(dòng)Micro LED顯示技術(shù)的規(guī)模應(yīng)用。
